长江存储作为国内领先的闪存制造企业，其闪存技术来源是一个涉及自主研发、国际合作与产业链协同的复杂体系，从成立之初，长江存储就明确了“自主研发+开放合作”的技术发展路径，通过持续投入研发、引进关键人才、参与国际技术合作，逐步构建起从存储芯片设计、制造到封测的完整技术能力，尤其在3D NAND闪存领域实现了从跟跑到并跑的突破，其技术来源可从核心技术研发、产业链合作、人才与专利布局以及政策支持四个维度展开分析。
在核心技术研发方面，长江存储的技术突破始于对3D NAND架构的自主创新，不同于早期国际厂商采用的平面NAND技术，3D NAND通过堆叠存储单元提升容量，是闪存发展的必然方向，长江存储于2025年成功研发出中国首款3D NAND闪存芯片，采用自主创新的“Xtacking®”架构，该技术的核心在于将外围电路与存储单元阵列分开制造，分别优化后再通过晶圆键合技术集成，从而在提升读写性能的同时缩短研发周期，这一架构的诞生，打破了传统3D NAND技术对海外专利的依赖，成为长江存储技术自主可控的重要标志，公司在电荷捕获闪存（CTF）技术、堆叠层数提升（从32层到128层、232层及以上）、以及三维集成工艺等关键领域持续投入研发，形成了多项核心专利技术,为产品迭代奠定了基础。
产业链合作与技术引进是长江存储技术来源的重要补充，作为半导体产业的后进入者，长江存储深知闭门造车的局限性，因此在坚持自主研发的同时，积极与国际设备材料商、设计公司及科研机构建立合作，在制造环节，公司与应用材料、泛林集团、东京电子等国际半导体设备供应商合作，引进先进的刻蚀、薄膜沉积、光刻等关键设备，并通过联合调试优化工艺参数；在材料环节，与信越化学、住友化学等企业合作开发高纯度硅片、光刻胶等关键材料，确保供应链稳定，长江存储也与国内高校（如清华大学、复旦大学）共建联合实验室，开展前沿存储技术研究，例如新型存储介质、三维集成工艺等，通过产学研合作加速技术转化，这种“引进-消化-吸收-再创新”的模式，使长江存储在短时间内掌握了国际先进的闪存制造工艺,同时避免了重复研发的资源浪费。
人才与专利布局是长江存储技术积累的核心支撑，公司自成立以来，就将人才战略作为技术发展的重中之重，通过全球招聘引进了数百名具有国际半导体巨头（如三星、英特尔、美光等）工作经验的技术专家和管理人才，组建了涵盖器件设计、工艺开发、产品测试等全流程的研发团队，这些人才不仅带来了先进的研发经验和技术理念，更推动了公司研发体系的规范化与国际化，在专利布局方面，长江存储累计申请国内外专利超过1.2万件，其中3D NAND架构、制造工艺、电路设计等核心专利占比超过60%，形成了覆盖基础专利、改进专利和外围专利的专利池，有效规避了知识产权风险，也为后续技术许可和交叉许可奠定了基础，其“Xtacking®”架构相关专利已在美国、欧洲、韩国等主要半导体市场获得授权,体现了国际对其技术原创性的认可。
政策支持与资本投入则为长江存储技术研发提供了坚实保障，作为国家集成电路产业投资基金（“大基金”）重点支持的企业，长江存储自2025年成立以来累计获得超过千亿元的战略投资，这些资金主要用于研发投入、生产线建设及设备采购，国家层面的政策支持不仅体现在资金层面，还包括通过“国家集成电路重大科技专项”等科研项目，鼓励企业开展关键核心技术攻关，推动产业链上下游协同创新，在3D NAND技术研发初期，国家通过专项基金支持长江存储建设12英寸晶圆生产线，并协调国内设备材料企业参与联合研发，加速了国产设备在闪存制造中的验证与应用，地方政府（如湖北省、武汉市）也在土地、税收、人才引进等方面给予配套支持,为技术研发创造了良好的外部环境。
随着技术的不断迭代，长江存储已实现从32层、64层、128层到232层3D NAND闪存的量产，其产品性能、可靠性和成本控制能力逐步接近国际一线厂商，232层NAND闪存采用堆叠层数更高、单元密度更大的设计，同时结合Xtacking®架构的优势，在读写速度、耐用性等指标上达到行业领先水平，广泛应用于数据中心、智能手机、固态硬盘等领域，这一系列成果的取得，离不开长江存储在技术研发、产业链协同、人才专利及政策支持等多方面的共同努力，也标志着中国闪存产业实现了从“零”到“一”、从“跟跑”到“并跑”的历史性跨越。
相关问答FAQs
Q1：长江存储的“Xtacking®”架构与其他3D NAND技术的主要区别是什么？
A1：“Xtacking®”架构的核心创新在于将传统3D NAND芯片中的外围电路（如I/O控制、逻辑管理等）与存储单元阵列分开制造，具体而言，先在两片独立的晶圆上分别优化制造外围电路和存储单元阵列，再通过铜互连技术将两者键合集成，这一优势在于：① 外围电路和存储单元可分别采用最优工艺，例如外围电路可采用更先进的逻辑制程提升性能，存储单元可专注于高密度堆叠；② 研发周期更短，无需在单一工艺流程中平衡不同模块的需求；③ 可灵活选择外部合作伙伴的外围电路技术，降低研发门槛，相比之下，传统3D NAND技术（如三星的V-NAND、美光的64层3D NAND）采用“先存储后外围”或“一体化集成”的制造方式，工艺复杂度更高，迭代灵活性较差。
Q2：长江存储在闪存技术领域面临的主要挑战有哪些？
A2：尽管长江存储已取得显著突破，但仍面临多重挑战：① 技术迭代压力，国际厂商（如三星、铠侠）已量产176层、232层以上3D NAND，并在研发下一代3D NAND（如CFET、Xtacking 2.0等），长江存储需持续保持研发投入以跟上步伐；② 供应链风险，尽管已加强国际合作，但高端光刻机、部分核心材料仍依赖进口，存在“卡脖子”隐患；③ 市场竞争加剧，全球闪存市场供过于求，价格波动频繁，长江存储需在提升产品良率、降低成本的同时，拓展国内外客户资源；④ 专利壁垒，国际巨头在闪存领域积累了海量专利，长江存储需通过持续创新和专利交叉许可规避侵权风险，这些挑战需要通过技术突破、产业链协同及市场布局共同应对。
